（填空题）
（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s， 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。
（简答题）
在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？
（判断题）
在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
（填空题）
在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
（填空题）
自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
（填空题）
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
（填空题）
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
（填空题）
空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
（填空题）
杂质可分为：不明显杂质、明显杂质和（）。
