（填空题）
气体扩散法是将含（）的气体在高温下向硅片进行扩散，形成（），一般都用这一方法。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
涂层扩散法是用含有磷的溶液代替（）进行（）和加热，使磷向硅片中扩散形成pn结，具有简单易于大型化生产的优点。
（判断题）
空调压缩机的作用是将低温、低压的制冷剂气体压缩成高温、高压的液体。
（简答题）
将含等摩尔氮气和氢气的混合气体通入一反应器，在30397.5kPa下反应，若氢气反应掉20%，这时反应器内的压力为多少
（简答题）
为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？
（填空题）
1molA与3molB气体形成混合气体于6升容器中，压强为400Kpa，同温下向混合气体中注入2molC气体，则混合气体总压P=（）Kpa，B气体的分体积VB=（）升。
（判断题）
扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
（多选题）
在焊接电弧的高温和强烈紫外线作用下，会形成多种有毒气体，主要有（）
（判断题）
暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
（判断题）
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
