说明晶体缺陷的概念和分类方法，简述各种晶体缺陷的概念、特征及其对性能的影响。

概念：晶体缺陷是指晶体中偏离理想的完整结构的区域。
分类方法：按形成晶体缺陷的原子种类，可将晶体缺陷分成化学缺陷和点阵（几何）缺陷两类。按点阵缺陷在三维空间的尺度，又可将点阵缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷三类。
1、点缺陷：是指在x、y、z方向上的尺寸都很小的点阵缺陷，包括空位和间隙原子。
特点：点缺陷是热力学平衡缺陷，即在平衡状态下也总以一定的浓度存在。
影响：
（1）空位浓度升高，导体的电阻升高。
（2）空位引起体积增加、密度减小。
（3）辐照损伤，即用电子、中字、质子、α粒子等高能粒子照射材料，在材料中导入大量空位和间隙原子，引起材料损伤。
2、线缺陷：线缺陷是指在两个方向上尺寸都很小，另一个方向相对很长的点缺陷，也叫一维缺陷，如位错。
特点：不论是何种位错，位错的滑移方向都是为错的法线方向。
影响：
（1）位错的密度降低，位错数量减少，材料的屈服强度将降低。
（2）由于位错附近自由能升高，位错消失可以导致自由能降低，因此位错附近可发生优先腐蚀。
（3）由于位错引起的局部点阵畸变也能引起传导电子的额外散射，也可能引起电阻升高。
（4）位错导致扩散加速。
3、面缺陷：面缺陷是指在两个方向上尺寸很大，另一方向上尺寸很小的点缺，也叫二维缺陷。
特点：不论是何种位错，位错的滑移方向都是位错的法线方向，滑移的结果都是在晶体表面形成宽度为b的台阶。
影响：
（1）堆垛层错使材料的自由能有些增加，但本身几乎不产生畸变，对材料的性能影响不大。
（2）外表面对材料性能的影响在于很难获得清洁的表面。
（3）相界面是新相的形核的优先位置，相界面常常是最优先腐蚀的位置。对普通材料而言，它会使材料的强度增加，原因是它增大了位错运动的阻力。

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