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(简答题)

tgδ测量的影响因素有哪些?

正确答案

(1)界电磁场的干扰影响:一种是由于存在杂散电容,另一种是由于交变磁场感应出干扰磁场。消除方法:将电桥的低压臂和检流计用金属网和屏蔽电缆线加以屏蔽。
(2)温度的影响:一般tgδ随温度的增高而增大
(3)试验电压的影响:
a、良好绝缘在额定电压下,tgδ值几乎不变。
b、若绝缘存在空隙或气泡时,当所加电压尚不足以使气泡电离时,其tgδ与良好绝缘时无差别,但若所加电压能引起气泡电离或发生局部放电时,tgδ随U的升高而迅速增大,电压回落时电离要比电压上升时更强一些,因而会出现闭环曲线。
c、如果绝缘受潮,则电压较低时,tgδ就已经相当大,电压升高时,tgδ更将急剧增大;电压回落时,tgδ也要比电压上升时更大一些,因而形成了不闭合的分叉曲线。
(4)试品电容量的影响:对于电容量较小的试品,测量tgδ
能有效的发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较大的试品,测量tgδ只能发现整体分布性缺陷,此时要把它分解成几个彼此绝缘部分的被试品,分别测量各部分的tgδ值,能有效的发现缺陷。
(5)试品表面泄漏的影响:由于试品表面泄漏电阻总是与试品等值电阻Rx相并联,所以会影响tgδ值。为了排除或减小这种影响,在测试前应清除绝缘表面的积污和水分,必要时还可以在绝缘表面上装设屏蔽极。

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