（1）H原子对硅材料中的体缺陷和晶界起到钝化作用，降低表面复合速度，进而提高VOC和ISC。
（2）氮化硅还有良好的抗氧化、抗腐蚀和绝缘性能，以及良好的阻挡钠离子等金属离子和水蒸气的能力。
（3）氮化硅膜具有很高的正电荷密度，3～4×1012cm-3，有利于N区多子通过。制备工艺：使用PECVD法制备。在反应炉内通入SiH4和NH3（或N2）气体，使它在硅晶表面产生一层非晶氮化硅减反膜，在减反膜里含有原子比例约为40℅的氢原子。
（简答题）
简述非晶氢化氮化硅（α-SiNx：H）薄膜的优点及其制备工艺。
正确答案
答案解析
略
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（填空题）
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
（单选题）
催化α-酮戊二酸和NH3生成相应含氮化合物的酶是：（）
（填空题）
氮化硅的晶型及特点：α-Si3N4低温型（1400—1600℃）（），硬度高，不稳定；β-Si3N4高温型：长柱状或斜状晶体，韧性强。
（简答题）
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