（简答题）
由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？
正确答案
在300K和77K温度下，N沟道HEMT的跨导分别达到400mS/mm和800mS/mm；P沟道HEMT的跨导达到170mS/mm或300mS/mm
答案解析
略
相似试题
（简答题）
什么是赝晶或赝配HEMT？
（单选题）
1970年，光纤研制取得了重大突破，美国康宁公司成功研制了损耗为（）的石英光纤，从而展现了光纤通信美好的前景。
（判断题）
近些年来研制很多保温材料，保温性能最好的是聚氨脂泡沫塑料。
（填空题）
由液压阻力造成的压力损失有两种，即沿程压力损失和局部压力损失，故通常将泵的压力取为系统工作压力的（）倍。
（填空题）
1883年，由（）研制出第一台四冲程汽油机。
（单选题）
1958年5月，由（）主持研制的我国第一台喷气式发动机喷发-1A试制成功。
（简答题）
研制一台微机测控系统大致分为几个阶段
（单选题）
1967年BOSCH公司研制的K—Jetronic汽油喷射系统中，使用了（）装置。
（单选题）
1979年日产公司研制的能综合控制点火时刻、空燃比、EGR和怠速的系统称为（）。
