试求
的值。 
（简答题）
已知高频晶体管3CG322A，当IEQ=2mA，f0=30MHz时测得Y参数如下： 
试求
的值。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
高频调谐功率放大器中，当频率升高时，晶体管的uces的变大。
（单选题）
高频调谐功率放大器中，当频率升高时，晶体管的工作在过压状态时（）。
（单选题）
如果把静态工作点选在IEQ点，当IE>IEQ时，|yfe|随IE增加而下降，称为（）AGC。
（简答题）
某谐振高频功率放大器，已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.5mS，Uj=0.6V，Ec=24V，Eb=-0.2V，输入电压Ubm=2V，Rc=50Ω。试求：Icmax，Ucm，ηc？
（简答题）
已知某高频功放晶体管的临界线斜率gcr=0.6S，若高频功放工作于临界状态，输出功率Po=1.8W，θc=80°，VCC=18V。试计算集电极脉冲电流幅值iCmaxi、PVCC、Pc、ηc和Rp。查表得α0（80°）=0.286，α1（80°）=0.472。
（简答题）
图是一个高频小信号放大器，已知晶体管的Yre=0，Yoe=0，Yfe=60∠60ºmS，接入系数P1=0.8，P2=0.5，RL=2kΩ，C1=200pF，f0=100MHz，Q0=80，求放大器的有载品质因数QL，谐振时的电压增益AV0、电感L1的值和频带宽度各是多少？
（多选题）
晶体管高频参数有（）
（填空题）
影响晶体管高频性能的主要因素是它的内部存在（）。
（单选题）
晶体管在高频情况下的放大能力随频率的增高而（）。
