（1）电子轰击源，电子轰击的能量远高于普通化学键的键能，因此过剩的能量引起分子多个键的断裂，产生许多碎片离子，因而能够提供分子结构的一些重要的官能团信息，但对于相对分子质量较大、或极性大，难气化，热稳定性差的有机化合物，在加热和电子轰击下，分子易破碎，难以给出完整分子离子信息。
（2）在场致电离源的质谱图上，分子离子峰很清楚，但碎片峰则较弱，因而对于相对分子质量的测定有利，但缺乏分子结构信息。
（3）场解析电离源，电离原理与场致电离相同，解吸试样分子所需能量远低于气化所需能量，因而有机化合物不会发生热分解，即使热稳定性差的试样仍能得到很好的分子离子峰，分子中的C-C键一般不会断裂，因而很少生成碎片离子。总之，场致电离和场解析电离源都是对电子轰击源的必要补充，使用复合离子源，则可同时获得完整分子和官能团信息。
（简答题）
比较电子轰击离子源、场致电离源及场解析电离源的特点。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
分子在离子源中在电子流的轰击下失去一个电子所形成的离子叫做（）
（单选题）
当受热的电极（火花塞中心电极）是负极时，由于热电发射和二次电子发射作用（即在正离子的轰击下，使阴极又发射新的电子的现象），火花塞的击穿电压约可降低（）。
（判断题）
凡是在弱场配位体作用下，中心离子d电子一定取高自旋态；凡是在强场配位体作用下，中心离子d电子一定取低自旋态。
（单选题）
根据晶体场理论，中心离子d电子发布为dε3dy1的是（）
（简答题）
求下图所示电路中电压源、电流源及电阻的功率（须说明是吸收还是发出），并检验电路的功率是否平衡。
（简答题）
根据配位场理论，应用下列配位离子的性质填写出电子的构型和自旋磁矩μs/B.M。
（判断题）
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
（填空题）
（）是由正、负离子和电子，以及一些原子、分子组成的集合体，可以是固态、液态和气态，宏观上一般成电中性。
（单选题）
黑白显像管的第二、四阳极与（）组成电子透镜，使电子束在轰击荧光屏之前聚焦。
