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(判断题)

焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。

A

B

正确答案

来源:www.examk.com

答案解析

相似试题

  • (填空题)

    焦饼中心温度一般控制在()。

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  • (判断题)

    焦饼中心温度为900±50℃。

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  • (单选题)

    焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。

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  • (判断题)

    配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。

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  • (简答题)

    在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

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    测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。

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    在同一结焦时间内火道温度每改变10℃,焦饼中心温度相应改变()。

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  • (填空题)

    ()温度确定的依据是焦饼中心温度。

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  • (填空题)

    焦饼中心温度上下两点温度差不超过()℃。

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