（名词解析）
沟道长度调制效应
正确答案
当MOSFET进入饱和区时有效沟道长度随漏源电压的变化而变化，从而漏电流略有增加。
答案解析
略
相似试题
（名词解析）
离子注入的沟道效应
（名词解析）
短沟道效应
（简答题）
简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？
（填空题）
绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为（）和（）两种类型。
（填空题）
根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
（判断题）
热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
（简答题）
利用纵向电光效应和横向电光效应均可实现电光强度调制，纵向电光调制和横向电光调制各有什么优缺点？
（判断题）
霍尔效应传感器信号是频率调制信号，其波形是正弦波。
（单选题）
电光调制又分为横向运用和纵向运用；在电光调制中，适当地增加电光晶体的L/d ，就可以增强电光效应的作用而降低晶体上所需的电压；这是电光效应（）的突出优点。
