（简答题）
能带理论中的近自由电子近似和紧束缚近似的基本假设各是什么？两种近似方法分别适合何种对象？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
已知在紧束缚近似下，体心立方晶体s态电子构成的能带为： （1）求能带宽度， （2）求电子在能带中的运动速度，求带底和带顶的速度， （3）求电子的有效质量倒数张量，求带底和带顶的有效质量。
（简答题）
对于晶格常数为a的简立方晶体，（1）以紧束缚近似求非简并s态电子的能带；（2）画出第一布里渊区[110]方向的能带曲线，求出带宽。
（简答题）
已知在紧束缚近似下，面心立方晶体s态电子构成的能带为： （1）求能带宽度。 （2）求带低的有效质量。 （3）证明，在布里渊区中心，等能面近似为球形。并求布里渊区中心附近的有效质量。
（简答题）
能带论对欧姆定律的微观解释与自由电子近似下的量子导电理论有何异同点？
（简答题）
用紧束缚近似求出面心立方金属和体心立方金属中与s态原子能级对应的能带的E（k）函数。
（简答题）
一维单原子链，原子间距a，总长度为L＝Na，（1）用紧束缚近似方法求出与原子s态能级相对应的能带函数；（2）求出其能带密度函数N（E）的表达式。
（简答题）
能带理论的三种近似分别是什么？怎样定义的？
（简答题）
同种原子构成的二维密堆积结构，正格子可以表示为：a1=ai，。其中a为晶格常数，应用紧束缚近似证明，其s带能带可以表示为：
（简答题）
采用紧束缚近似，计算一维单原子晶格中，简约布里渊区边界电子的速度，设晶格常数为a。
