（判断题）
当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。
（单选题）
PN结正偏的特性是（）。
（判断题）
对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
（单选题）
用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，（）。
（填空题）
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
（判断题）
分压式电流负反馈偏置电路晶体管发射极电容Ce是用来防止对交流信号产生反馈的。（）
（填空题）
晶体管（三极管）有（）、（）、（）等三种工作状态，三极管饱和时，其发射结为（）偏置，集电结为（）偏置。
（单选题）
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
（填空题）
绝缘栅双极型晶体管（IGTR）是以（）作为基极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
