A与试件上总的磁通密度有关
B与缺陷自身高度有关
C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
D以上都对
（单选题）
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
答案解析
下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）
下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）
下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）
下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。
