（判断题）
由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
用MOS器件构成的随机存取存储器RAM分为SRAM和DRAM两种，其中DRAM以电容来存储信息，需要定期进行（）
（简答题）
请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。
（单选题）
由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）
（简答题）
有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？
（简答题）
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
（单选题）
用2164DRAM芯片构成8086内存的最小容量是（）。
（单选题）
某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。
（填空题）
双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ，因此（）就是由双极型半导体构成。
（简答题）
若主存DRAM的的存取周期为70ns，Cache的存取周期为5ns，有它们构成的存储器的平均存取周期是多少？
