（单选题）
锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。
A0.4V
B0.5V
C0.6V
D0.7V
正确答案
答案解析
略
相似试题
（多选题）
功率二极管主要参数包括（）。
（多选题）
用来表示二极管性能好坏和适用范围的技术指标称为二极管的参数，主要包括（）。
（多选题）
用来表示二极管性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数，主要包括（）。
（判断题）
发光二极管的内部存在一个PN结，具有单向导电性，当发光二极管在正向导通时会发光，光的亮度随导通电流增大而增强，光的颜色与波长有关。
（多选题）
IGBT功率器件同时具有（）和较低的饱和压降从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。
（多选题）
IGBT功率器件同时具有（）和较低的饱和压降，从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。
（判断题）
电容与电源之间只有能量互换而没有能量消耗，所以理论上电容不消耗电源能量是储能元件。
（判断题）
电容与电源之间只有能量互换而没有能量消耗，所以理论上电容不消耗电源能量，是储能元件。
（判断题）
一台直流电机原则上既可以作为电动机运行，也可以作为发电机运行，这种原理在电机理论中称为可逆原理。
