1）气相成底膜：清洗、脱水，脱水烘焙后立即用HMDS进行成膜处理，起到粘附促进剂的
作用。
2）涂胶：采用旋转涂胶的方法涂上液相光刻胶材料。
3）前烘：其目的是除去光刻胶中的溶剂。
4）对准和曝光：掩模板与涂了胶的硅片上的正确位置对准。然后将掩模板和硅片曝光。
5）曝光后烘焙：深紫外（DUV）光刻胶在100-110℃的热板上进行曝光后烘焙。
6）显影：是在硅片表面光刻胶中产生图形的关键步骤。
7）坚模烘焙：要求会发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性。
8）显影后检查：目的是找出光刻胶有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求。
（简答题）
识别该图所示工艺，写出每个步骤名称并进行描述
正确答案
答案解析
略
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