（单选题）
发光二极管的导通压降为（）
A0.5～0.7V
B1V左右
C1.8～2.5V
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
硅二极管导通时的正向管压降约 （），锗二极管导通时的管压降约0.3V。
（填空题）
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
（单选题）
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。
（填空题）
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
（判断题）
带电感性负载的可控硅整流电路加入（续流）二极管后，晶闸管的导通角比没有二极管前减小了，此时电路的功率因数减小了。
（单选题）
为兼顾效率和功率，高频功率放大器的导通角θ一般可取（）左右。
（单选题）
发光二极管的正向压降为（）左右。
（单选题）
若初级线圈的导通时间为5ms，发动机转速为3000r/min，则闭合角为（）。
（简答题）
晶闸管的导通条件是什么？ 导通后流过晶闸管的电流取决于什么？ 晶闸管由导通转变为阻断的条件是什么？ 阻断后它所承受的电压大小取决于什么？
