带高速缓存动态随机存储器（CD-RAM）是日本三菱电气公司开发的专有技术。他通过在DRAM芯片上集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器CACHE和同步控制接口，来提高存储器的性能。这种芯片使用单一的+3V电源，低压TTL输入输出电平。
双数据传输率同步动态随机存储器（DDR DRAM）是在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环（DELAY-LOCKED LOOP）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可以传输数据（而不是第一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据，“DDR”即是“双数据率”的意思），这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍。
虚拟通道存储器（VCM）由NEC公司开发，是一种新兴的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输（即“带宽”增大）的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。在设计上，系统（主要是主板）不需要做大的改动，便能提供对VCM的支持。VCM可从内存前端进程的外部对所集成的这种“通道缓存”执行读写操作。对于内存单元与通道缓存之间的数据传输，以及内存单元的预充电和刷新等内部操作，VCM要求它独立于前端进程进行，即后台处理与前台处理可同时进行。由于专为这种“并行处理” 创建了一个支撑架构，所以VCM能保持一个非常高的平均数据传输速度，同时不用对传统内存架构进行大的更改。
（简答题）
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略
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