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(简答题)

由N沟道耗尽型场效应管组成的电路如下图所示。设UGSQ=-0.2V,   Gm=1.2ms。 试求:  (1)电路中的静态工作点IDQ和UGSQ之值 (2)画出微变等效电路图  (3)电压放大倍数Áu  (4)输入电阻Ri和输出电阻RO

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相似试题

  • (填空题)

    根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为()和耗尽型。

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    如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中,已知VP=-4v,IDSS=1mA,VDD=16v,RG1=160kΩ,RG2=40kΩ,RG=1MΩ,RD=10kΩ,RS=8kΩ,RL=1MΩ。 试求: (1)静态工作点Q  (2)画出微变等效电路  (3)电压放大倍数Au  (4)输入电阻Ri、输出电阻Ro 

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  • (单选题)

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  • (填空题)

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