（单选题）
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。
A 对探伤有利
B 对探伤不利
C 半扩散角增大
D 超声波能量发散
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：N= D2/4λ－L1C1/C2。
（填空题）
当晶片直径D远大于波长时，近场长度N=（）。
（单选题）
下列（）晶片发射纵波的近场区最长。
（单选题）
近场区长度在频率给定时，随晶片直径变小而（）。
（填空题）
近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而（）。
（填空题）
探头晶片尺寸的增加会使（）增加，波束指向性变好。
（填空题）
直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：（）。
（填空题）
（）是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率的增加、晶片直径的减小而增大。
（填空题）
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的（）。它随频率的增加、晶片直径的减小而（）。
