（单选题）
关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）
Ap-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
Cp-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
由于有漏电电流流动，使所谓的反向饱和电流密度（），从而减少了开路电压。
（简答题）
简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
（判断题）
稳压二极管的反向击穿电压越大越好，反向饱和电流越小越好。
（单选题）
电极极化时，随着电流密度的增加，说法（1）：正极电位越来越大，负极的电位越来越小；说法（2）：阳极电位越来越正，阴极电位越来越负。分析以上两种说法时，以下解释中不正确的是：（）。
（填空题）
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
（单选题）
当环境温度升高时，三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。
（单选题）
以下关于扭转中说法错误的是（）
（填空题）
当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（）所以Ic也（）。
（填空题）
温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
