A有二次击穿
B无二次击穿
C防止二次击穿
D无静电击穿
（单选题）
电力场效应管MOSFET（）现象。
答案解析
电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
（判断题）
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
电力晶体管的开关频率（）电力场效应管。
电力场效应管MOSFER适于在（）条件下工作。
绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。
