（填空题）
反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
（填空题）
PN结反向偏置时，应该是N区的电位比P区的电位（）。
（单选题）
当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。
（简答题）
简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
（填空题）
在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。
（填空题）
PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于（）的（）运动而不利于（）的（）；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于（）的（）运动而不利于（）的（），这种情况下的电流称为（）电流。
（简答题）
简述结型光电器件为何要加反向偏置电压。
（单选题）
当PN结反向工作时，其结电容主要是（）
（判断题）
PN结具有单向导电性，可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。（）
