，对理想晶体，由于只有声子散射电子，所以电子的平均自由程lF由声子数目决定。声子数目随温度升高而增多，在不同的温度范围有不同的规律。可以推导，在温度T>（2/3）θD的高温，有：ρ∝T。式中θD为德拜温度，即具有原子间距的波长的声子被激发的温度。在T<<θD的低温，有：ρ∝T5。而在2K以下的极低温，声子对电子的散射效应变得很微弱，电子-电子之间的散射构成了电阻的主要机制，此时有：ρ∝T2。可见，尽管规律不同，但是理想晶体的电阻总是随温度的升高而升高的。定义m=1/lF为散射系数，则有：
。由于实际材料总是有杂质和缺陷的，所以对实际材料散射系数可表示为：μ=μT+∆μ。式中，μT代表声子引起的电子散射，与温度有关；Δμ代表杂质和缺陷引起的电子激射，只与其浓度有关，与温度无关。所以电阻率可以表示为：ρ=ρ0+ρ（T）。即电阻率分为与温度有关的部分ρ（T）和与温度无关的部分ρ0。该规律称为马西森定律。 
