通道1应工作在方式2，即频率发生器方式。
此时的工作方式的控制字为54H。
计数器的时钟频率为2MHz，则计数周期为0.5μs
两行刷新的最大时间间隔为 2ms/128= 15.6 μs
则频率发生器的计数值 15.6 / 0.5 =31.2 ，取31D，即计数值为1FH。
（简答题）
用8253-5通道1作为DRAM刷新定时器，动态存储器要求在2ms内对全部128行存储单元刷新一遍，假定计数用的时钟频率为2MHz，问该通道应该工作在什么方式？请写出控制字和计数值（用16进制数表示）。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
用8253-5通道1作为DRAM刷新定时器，动态存储器要求在2ms内对全部128行存储单元刷新一遍，假定计数用的时钟频率为2MHz，问该通道应工作在什么方式？请写出控制字和计数值（用16进制数表示）。
（简答题）
DRAM为什么需要定时刷新？
（简答题）
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
（简答题）
用64K×1位的DRAM芯片构成256K×8位的存储器。要求： （1）计算所需芯片数，并画出该存储器的逻辑框图。 （2）若采用异步刷新方式，每单元刷新间隔不超过2ms，则产生刷新信号的间隔是多少时间？若采用集中刷新方式，则存储器刷新一遍最少用多少读写周期？
（简答题）
有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？
（简答题）
请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。
（简答题）
用8253-5通道0对外部脉冲计数，每计满10000个产生一次中断。该通道应工作在什么方式？请写出工作方式控制字及计数值（用16进制数表示）。
（单选题）
某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。
（单选题）
在PC/XT机上的DRAM刷新，每（）时间完成一行刷新。
