（单选题）
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（）。
A31～40℃
B21～30℃
C10℃以内
D11～20℃
E5℃
正确答案
答案解析
采用体瓷、透明瓷自身上釉，需将炉温升至高于体瓷烧结温度10℃以内。
相似试题
（单选题）
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（）。
（单选题）
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是（）。
（单选题）
在全部温度范围内，烤瓷和烤瓷合金的温度膨胀系数之差必须在（）。
（单选题）
烤瓷炉真空调节装置的作用是（）。
（单选题）
用烤瓷炉烧烤烤瓷牙的温度范围是（）。
（单选题）
在瓷熔附金属时，其金瓷匹配是十分关键的。烤瓷材料的烧结温度与金属的熔点的关系是（）。
（单选题）
对烤瓷合金和烤瓷粉要求，错误的是（）。
（单选题）
镍铬合金基底冠铸造后，在烤瓷前可进行的处理，除了（）
（单选题）
镍铬合金基底冠铸造后，在烤瓷前可进行的处理，不包括（）。
