（判断题）
介质损耗因数tg∮试验，可以发现设备绝缘整体受潮、劣化变质、以及小体积设备绝缘的某些局部缺陷。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
测量介质损耗因数，通常不能发现的设备绝缘缺陷是（）
（判断题）
在一般情况下，介质损耗tg∮试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
（单选题）
现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数，出现试验电源与干扰电源不同步，电桥测量无法平衡时，应采用的正确方法是（）
（单选题）
在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的
（判断题）
对高压电容式绝缘结构的套管、互感受器及耦合电容器，不仅要监测其绝缘介质损耗因数，还要监测其电容量的相对变化。
（判断题）
当设备各部分的介质损耗因数差别较大时，其综合的g∮值接近于并联电介质中电容量最大部分的介质损耗数值。
（单选题）
一台220kV电流互感器，由试验得出主电容为1000pF，介质损耗因数为0.6%，在1.15倍的额定电压下，介质的功率损耗P约为（）
（单选题）
若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近
（判断题）
现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。
