1)沟道效应:衬底为单晶材料,离子束准确的沿着晶格方向注入,几乎不会受到原子核的散射,其纵向分布峰值与高斯分布不同。一部分离子穿过较大距离。
2)抑制方法:
○1硅片偏转一定角度注入
○2使用质量较大的原子注入
○3大剂量注入(形成非晶层)
○4隔介质膜注入
(简答题)
什么是沟道效应?抑制方法?
正确答案
答案解析
略
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