（填空题）
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
（单选题）
场效应管的漏极电流ID从1A增加到3A，它的跨导将（）。
（单选题）
如图所示为结型光电器件的伏安特性曲线，第三象限是（）状态，其工作方式被称为（）模式，工作在这一区域的器件称为（）。请选择正确的答案（）
（填空题）
负载伏安特性曲线的形状仅与（），而与实际加在该负载上的（）。
（判断题）
当光通量一定时，阳极电流与阳（阴）电压的关系，叫光电管的伏安特性曲线。
（单选题）
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。
（简答题）
简述功率MOSFET的特性。
（单选题）
下列选项中，（）不是P-MOSFET的一般特性。
（填空题）
晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是（）、（）、（）。
