ANa+内流
BK+内流
CCa2+内流
DCI-内流
EK+外流
(单选题)
可产生抑制性突触后电位的离子基础是()
答案解析
兴奋性突触后电位是突触后膜对哪种离子的通透性增加引起的()
突触前抑制产生是由于突触前膜()
静息电位产生的离子基础是()
与胺碘酮延长心室肌APD(动作电位持续时间)作用机制有关的主要离子通道是()
突触前抑制是由于突触前膜()
突触前抑制的结构基础是哪一类型的突触()
心室肌细胞动作电位的2期复极的离子基础是()
在神经纤维动作电位的去极相,通透性最大的离子是()