（简答题）
兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么？
正确答案
兴奋性突触后电位（EPSP）形成机制是：兴奋性递质作用于突触后膜上受体，提高后膜对Na+、K+，尤其对Na+通透性，Na+内流导致膜去极化，提高突触后神经元兴奋性。抑制性突触后电位（ISP）形成机制是：抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上Cl-通道开放，Cl-内流使膜电位发生超极化，降低了突触后神经元兴奋性。
答案解析
略
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（简答题）
简述兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位作用及原理。
（单选题）
下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征（）。
（简答题）
何谓兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位？兴奋如何通过突触传递使突触后神经元兴奋（兴奋在中枢通过突触传递的过程与机理）？
（单选题）
抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关（）
（单选题）
兴奋性突触后电位是在突触后膜产生（）
（判断题）
兴奋性突触后电位属局部电位。
（判断题）
兴奋性突触后电位是由于突触后膜出现了超级化。
（单选题）
能使突触后膜通透性改变，产生兴奋性突触后电位的主要离子是（）
（单选题）
抑制性突触后电位是在突触后膜产生（）
