浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。它可有效地提高半导体的导电能力。掺杂半导体又分为n型半导体和p型半导体。
深能级杂质是指杂质所在的能级位置在禁带中远离导带或价带，在常温下很难电离，不能对导带的电子或价带的空穴的浓度有所贡献，但它可以提供有效的复合中心，在光电子开关器件中有所应用。
当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。
利用杂质补偿效应，可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。
（简答题）
在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。
（填空题）
半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。
（简答题）
掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。
（判断题）
本征半导体中如果掺入微量的五价元素，即可形成N型半导体。
（填空题）
本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（），相反，少数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（）。
（填空题）
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
（填空题）
P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
（单选题）
P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
（单选题）
P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
