（单选题）
电阻应变计的电阻相对变化ΔR/R与应变ΔL/L=ε之间在很大范围内是线性的则k=（）。
AΔR/R/ε
BΔR/R/L
CΔR/R/ΔL
DΔL/L/R
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
一应变片的电阻R0=120Ω，K=2.05，用作应变为800μm/m的传感元件。（1）求△R与△R/R；（2）若电源电压Ui=3V，求其惠斯通测量电桥的非平衡输出电压U0。
（填空题）
当测量较小应变值时，应选用电阻应变效应工作的应变片，而测量大应变值时，应选用（）效应工作的应变片，后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。
（填空题）
电阻应变片的电阻相对变化率是与（）成正比的。
（单选题）
金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（）来决定的。
（简答题）
图示一板状试样，表面贴上纵向和横向电阻应变片来 测定试样的应变。已知b=4mm，h=30mm，每增加ΔF=3kN的拉力，测得试样的纵向应变ε=120×10-6，横向应变ε/=-38×10-6。试求材料的弹性模量E和泊松比ν。
（填空题）
当测量较小应变值时，应选用（）工作的应变片，而测量大应变值时，应选用压阻效应工作的应变片，后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。
（判断题）
金属丝的灵敏系数，其物理意义是：单位应变所引起的电阻相对变化。
（填空题）
金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于：前者利用（）引起的电阻变化，后者利用（）变化引起的电阻变化。
（填空题）
金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
