（简答题）
对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol，计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
（a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。（b）如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。
（单选题）
晶体结构中的缺陷在温度为（）时才能生成。
（单选题）
热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（）。
（填空题）
离子晶体生成Schttky缺陷时，正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随（）的增加。
（简答题）
晶体的缺陷有哪些？以及各种缺陷对晶体性能的影响？
（单选题）
按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。
（填空题）
常见晶体的缺陷有（）缺陷、（）缺陷和（）缺陷三种。
（简答题）
何谓晶体缺陷？在工业金属中有哪些晶体缺陷？
（简答题）
何谓晶体缺陷？在工业金属中有哪些晶体缺陷？
