（判断题）
当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
（单选题）
西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
（判断题）
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
（判断题）
温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。
（判断题）
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。
（单选题）
tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）。
（判断题）
M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。
（判断题）
M型介质试验器被试品测试支路包括被试品的等值电阻、等值电容及测量用电阻。
（判断题）
一般来说，被试设备的体积电容愈大，或局部集中缺陷的范围愈小，总体tanδ的数值增加也就愈小，对缺陷的反映愈不灵敏。
