（单选题）
场效应晶体管是用（）控制漏极电流的。
A漏极电压
B栅极电流
C栅极电压
D源极电压
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
（判断题）
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
（填空题）
电力场效应晶体管有三个引脚，分别为（）、栅极G、漏极D。
（判断题）
MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。
（单选题）
当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）
（判断题）
晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件。
（判断题）
晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
（单选题）
电力场效应晶体管是理想的（）控制型器件
（判断题）
电力场效应管是理想的电流控制器件。
