（单选题）
已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（）。
A0.886eV
B1eV
C2eV
D1.3eV
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
求解菲涅尔-基尔霍夫衍射积分方程得到的本征函数和本征值各代表什么？
（简答题）
下列哪些函数是和d/dx的共同的本征函数： （1）ex （2）e2x （3）5sinx （4）sinx+cosx （5）x3 求出本征函数的本征值。
（单选题）
已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（）
（判断题）
若金属溢出功为W，则长波限为1.24/W（nm）。
（简答题）
闪烁探测器的突出优点在于其本征探测效率高，在同样的形状下，为什么BGO探测器比NaI探测器的本征探测效率高？
（简答题）
为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电？
（名词解析）
本征光电导效应
（简答题）
MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
（判断题）
弱辐射情况下，本征光电导与入射辐射通量成正比。
