A1～5
B2～5
C1～9
D2～6
（单选题）
单结晶体管的分压系数（或称分压比），它与管子内部结构有关，通常在（）之间。
答案解析
单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的（）。
（判断题）
单结晶体管的放大倍数与管子内部的结构有关。
（多选题）
下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）
下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。
正确的表示单结晶体管的结构及用途的是（）。
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。
