（简答题）
0.12kg的Si单晶掺有3.0×10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求出此材料的电导率。（Si单晶的密度为2.33g/cm3，Sb的原子量为121.8）
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
某刚性容器体积3.0m3，盛有10kg的一氧化碳气体，气体温度40℃，若维持其温度不变，慢慢注入一氧化碳气体，当压力升至原先状态的3倍时，容器内气体的质量为原先的（）倍。
（单选题）
水中直径为1μm的球形石英粒子在电位梯度1.0V·cm-1的电场中运动速度为3.0×10-3cm·s-1，则石英－水界面上ζ电位值为（η=0.001kg·m-1·s-1，D=80）：（）
（简答题）
流量为0.17m3/s的某油品用单程列管式换热器进行预热，所用的换热器具有80根长度为6m的φ32×1.0mm的钢管，管外用饱和蒸汽加热，可将油品预热至指定温度。现欲提高油品的预热温度，将加热管数增至400根（管子规格同上），管长及其它条件不变。问出口油温能否提高？已知油品在进、出口平均温度下的有关物性参数为ρ=800kg/m3，μ=7.2×10-3Pa.s，Cp=1.8×103J/（kg.K），λ= 0.12W/（m.K）。
（简答题）
对多模SI光纤，多大的相对横向偏移会产生10dB的损耗？
（简答题）
将0.12mol/LHCl与0.10mol/LClCH2COONa等体积混合，试计算该溶液的pH。（已知ClCH2COOH的Ka=1.4×10-3）
（单选题）
光纤包层中掺有杂质的原因（）。
（判断题）
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
（填空题）
单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
（判断题）
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
