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(填空题)

空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。

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  • (填空题)

    自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。

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    P型半导体中空穴为()载流子,自由电子为()载流子。

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    P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()

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    在半导体中,自由电子和空穴都是载流子。

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    按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为()、()、()三类。

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    P型半导体材料又称为空穴型半导体,其多数载流子为正电荷.

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  • (简答题)

    室温下,本征锗的电阻率为47Ω·cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s, 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。

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  • (判断题)

    P型半导体材料导电的载流子是空穴。

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