（填空题）
可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。
（单选题）
晶闸管反向重复峰值电压（有称反向阻断峰值电压）规定比反向击穿电压小（）V。
（判断题）
二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。（）
（单选题）
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。
（判断题）
稳压管在电路中均工作在反向击穿状态。（）
（判断题）
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
（单选题）
二极管反向电压持续增大到一定数值以后，反向电流会突然增大，此现象称二极管的（）。
（单选题）
当二极管反向电压持续增大到一定数值以后，反向电流会突然增大，此现象称二极管的（）
（判断题）
用万用表测量二极管的正.反向电阻，电阻挡的量程应采用Ω×100挡或Ω×1k挡。（）
