（填空题）
UO2+x在氧化气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，UO2+x的密度将（）
正确答案
阴离子间隙型；P；正比；增大
答案解析
略
相似试题
（填空题）
TiO2在还原气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，TiO2-x的密度将（）
（判断题）
红砖在氧化气氛中烧得，青砖在还原气氛中烧得。
（单选题）
在合成工艺过程中保持氧化气氛的作用是（）
（单选题）
在UO2晶体中，O2-的扩散是按（）进行的。
（填空题）
陶瓷生产中，烧还原气氛的隧道窑在烧成带前一小段要控制氧化气氛，后一大段要控制还原气氛，用（）来分割这两段。
（多选题）
在核酸中可形成氢键的碱基对是（）
（单选题）
SO2被氧化成为硫酸物和硫酸盐气溶胶，硫酸盐在大气中可存留（）以上。
（单选题）
在风化壳中可形成淋积矿床的主要元素是（）。
（简答题）
陶瓷生产中氧化气氛的作用
