（多选题）
P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（）。 
A 相同
B 不同
C 无关
D AB段
E CD段
F DE段
G EF和GH段
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。 判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）
（填空题）
在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。
（单选题）
在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）
（单选题）
P型半导体中的空穴数目多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（）
（填空题）
在P型半导体中，导电时以（）为主。
（单选题）
在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
（填空题）
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
（填空题）
在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
（填空题）
P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。
