A有二次击穿
B无二次击穿
C防止二次击穿
D无静电击穿
（单选题）
电力场效应管MOSFET（）现象。
答案解析
电力场效应管MOSFET是（）器件。
电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
电力场效应管MOSFET适合于在（）条件下工作。
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）
（判断题）
电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
