(简答题)
如果硅光电二极管灵敏度为10μA/μW,结电容为10pF,结电导g=0.004μs,光照功率为5μW时,拐点电压为10V,偏压40V,试求光照信号功率情况下, (1)线性最大输出功率条件下的负载电阻; (2)线性最大输出功率; (3)响应截止频率。
正确答案
答案解析
略
相似试题
(简答题)
某光电二极管的结电容5pF,要求带宽10MHZ许的最大负载电阻是多少?若输出的信号电流为10μA,在只考虑电阻热噪声的情况下,求T=300K时信噪电流有效值之比。又电流灵敏度如为0.6A/W时,求噪声等效功率。
(单选题)
硅光电二极管与硅光电池比较,后者()。
(单选题)
硅光电二极管与硅光电池比较,前者()。
(单选题)
硅光电二极管与硅光电池相比,前者比后者不正确的说法是()
(单选题)
采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围()。
(判断题)
PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应,还能提高器件的光电灵敏度。
(简答题)
设PIN光电二极管的量子效率为80%,计算在1.3和1.55μm波长时的响应度,说明为什么在1.55μm光电二极管比较灵敏。
(简答题)
采用某光电元件测量位移,其结构图如下: 设光电元件的输出为0.01v/mm,放大器的放大倍数为500,该滤波器为1阶系统,时间常数τ=0.001s,ω=1/5τ,该记录仪的灵敏度为10mm/v,如果被测位移量最大为0.5mm,问记录纸上记录的幅值偏移是多少?该系统灵敏度是多少?
(简答题)
现有GDB-423型光电倍增管的光电阴极面积为2cm2,阴极灵敏度Sk为25μA/lm,倍增系统的放大倍数为105,阳极额定电流为20μA,求允许的最大光照。