本题的目的是搞清复用地址线的DRAM存储容量与外地址线和数据线数的关系。对一般DRAM，由于存储容量较大，地址线采用复用方式，存储容量与地址线和数据线数的关系为：存储容量=22n×m。
故4164的存储容量=216×1=64K×1。
（简答题）
DRAM4164有2根片选线（RAS和CAS）、8根地址线和1根数据线。请判断它的存储容量为多少？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
用1M×4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M×8的存储器。
（单选题）
图4-44所示机构由杆O1A、O2B和三角板ABC组成。已知：杆O1A转动的角速度为ω，O1A=O2B=r，AC=h，O1O2=AB，则图示瞬时点C速度νC的大小和方向为（）。
（多选题）
TN-C及TN-C-S系统中的PEN导体，应满足的条件有（ ）。
（单选题）
如图6-18所示水箱排水系统2-2断面管口自由出流，管直径50mm，不计损失，管内流量为（）L/s。 A.17.4 B.8.86 C.4.43 D.17.9
（简答题）
判断如下VHDL的操作是否正确，如不正确，请改正。字符a和b的数据类型是BIT，c是INTEGER，执行c＜=a+b。
（单选题）
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（ ）
（单选题）
在图7-32所示电路中，已知：R1=R3=4kΩ，R2=2kΩ，C=2μF，U=20V，换路后电容电流iC的变化规律是（）mA。
（单选题）
图示杆OA以角速度ψ1绕O轴旋转，轮C相对杆以角速度ω2在杆上滚动。轮半径为R，杆长为2l，此瞬时OB=BA。若以轮心C为动点，动系固结在OA杆上，则C点的牵连速度vE为（）。
（单选题）
电路如图7-25所示，已知R=1kΩ，C=2μF，电路对f=500Hz的信号发生谐振，谐振时端口电流为0.1A，电流表的读数最接近于（）A。
