2、求解θ、P1、P0、η及负载阻抗的大小。
3、符合要求的基极回路为Ub=UbCOSωt。
（简答题）
设一理想化的晶体管静特性如图所示，已知Ec=24V，Uc=21V，基极偏压为零偏，Ub=3V，试作出它的动特性曲线。此功放工作在什么状态？并计算此功放的θ、P1、P0、η及负载阻抗的大小。画出满足要求的基极回路。 
正确答案
2、求解θ、P1、P0、η及负载阻抗的大小。
3、符合要求的基极回路为Ub=UbCOSωt。
答案解析
略
相似试题
（简答题）
电路如图所示，晶体管T的输出特性如图所示，已知Ucc=20V，Rc=0.5kΩ，晶体管工作在Q点时的IB=200，要求： （1）试计算偏置电阻RB，此时的电流放大系数β，晶体管的集射极电压降UCE。（设UCE=0.6V）； （2）若电路中其他参数不变，仅仅改变偏置电阻RB，试将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。
（简答题）
电路如图1所示，已知：VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V，电流放大系数β＝50，输入信号uI为理想电压源。在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位分别为多少？ (1)Rb1短路； (2)Rb1开路； (3)Rb2开路； (4)RC短路； (5)正常情况。
（简答题）
两级放大电路如图7所示已知 ，晶体管的 ，.
（单选题）
已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（）
（简答题）
电路如图1所示，设D1，D2均为理想元件，已知输入电压ui=150sinωtV如图2所示，试画出电压uO的波形。
（单选题）
在如图所示电路中，已知RL消耗功率20W，则理想电压源US供出电功率为（）。
（单选题）
三态输出与非门电路如图所示，已知其输出端Y=0，则其输入端A、B、E的状态分别为（）
（简答题）
已知图P2.8（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和Au。
（单选题）
如图甲所示，理想变压器原、副线圈的匝数比为10：1，R1＝20Ω,R2＝30ΩC为电容器。已知通过R1的正弦交流电如图乙所示，则（）
