（简答题）
画出使用QS1型西林电桥，采用末端屏蔽间接法测量110kV、220kV串级式电压互感器的支架介损tgδ和电容量C的接线图，并写出计算tgδ和C的公式。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
绘图题：画出QS1型西林电桥的原理接线图（正接线）。
（简答题）
绘图题：画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。
（简答题）
绘图题：画出用QS1型西林电桥测量－tgδ的原理接线图（正接线）。
（简答题）
图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥，采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。
（简答题）
图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥，采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。
（简答题）
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
（简答题）
写出5件QS1型西林电桥内部的主要元件。
（简答题）
简述5件QS1型西林电桥内部的主要元件。
（判断题）
当采用QS1型西林电桥，以低压电源、CN＝0.01μF进行测量时，其Cx的可测范围是300pF～1000μF。
