ATFT
Ba－Se
CCsI
DA／D转换器
E储能电容
（单选题）
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）
答案解析
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）。
对于非晶硒探测器的说法错误的是（）
（多选题）
DSA非晶硅平板探测器的构成。（）
对于非晶硅型平板探测器说法正确的是（）
非晶硒FPD的优点不包括（）
X线照射到直接FPD上时，X线光子使非晶硒激发出（）
直接平板探测器的线性度范围是（）
FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是（）
