（填空题）
热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
（填空题）
硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。
（判断题）
在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
（简答题）
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
（简答题）
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
（简答题）
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
（简答题）
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
（判断题）
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
（填空题）
目前，国产晶体硅的电池的效率在（）左右，国外同类产品在（）左右。
